由于环氧树脂的烧蚀极限比铜(黄色)的低,清洁工序(绿色)就不能探入底层铜。光束柔和地照射,均衡了材料的厚度和一致性的公差。 通过UV开发HDI的导通孔工艺 A工艺 B工艺 C工艺 A工艺:4步工艺工序,混合了润湿和激光工序,掩膜公差在50到70im之间,一般最小的孔尺寸为100到125im. B工艺:2步激光工序,1步润湿工序,由于CO2在掩膜上的绕射,小孔的直径约为60im。对经过特殊处理的铜材料CO2可提供的铜开口厚度的极限为7im。这种工艺仍需去除钻污。 C工艺:1步激光工序,UV激光对内层和外层铜的钻孔无限制,UV还多了一个清洁工序,从而使去除钻污工序降到了最低限度,甚至可