基础电子中的常用半导体制冷器件参数

【国外电子与通信教材系列】半导体器件基础

BP型半导体应变片可用于应力测量和应力分析,还可以作为各种传感器的力一电转换元件。它们具有灵敏度高、机械滞后小、体积小及耗电少等优点。BP型半导体应变片的主要技术特性见表。

通过对半导体器件进行建模，使用离散化的数学方法进行分析

首先要正确判断其正负极。一般在二极管的外壳上,带有三角形箭头的一端为正极,另一端就是负极。

一、 中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示

半导体激光器的种类很多,各种参考文献对激光器的种类进行了详细论述,图进行了简单示意。半导体激光器可以根据有源层材料、发射波长、器件结构、输出功率和应用领域等不同方式进行划分,分类方式灵活,相互交错。

选择氧化技术最初是应用于边发射激光器领域中,后来才被引入到VCSEL的制作中,如图1所示。其原理是将高A1组分的A1,Ga; ̄,As在350~500°C下与水汽反应生成化学性质稳定、绝缘性能良好且折

对载流子进行横向限制,最简单的方法就是将器件的谐振腔及上DBR刻蚀成柱型结构,如图所示。最早的全半导体VCSEL就是采用的这种结构。为了除去谐振腔外层的材料,通常都采用湿法腐蚀或者干法腐蚀的工艺。在湿

种类 常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等,以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化

离子注入工艺就是用高能离子注入设各把具有一定能量的带电粒子掺入到半导体材料中,从而改变半导体材料的电学性质和光学性质。离子从上DBR处注入,与晶体内的电子和原子核发生碰撞,产生晶格空位,并通过自由载流