元器件应用中的日本半导体器件型号的命名示例

型号中主称用W表示;材料部分用字母表示,见表;分类部分可用字母和数字,见表;序号为数字;区别代号为字母。

电子元器件行业中的半导体领域正迎来成长模式的重大转变。随着技术突破和市场需求的增长，行业盈利拐点已然显现，预示着迈向更高层次的发展平台。国泰君安深度解析了半导体行业的成长动力与趋势，展现了行业未来的无

安森美半导体推出新的超低电容静电放电(ESD)保护器件系列的首款产品。新的ESD9L是一款单线ESD保护器件,提供0.5皮法(pF)电容和业界领先的低钳位电压。这元件采用适合ESD保护应用的业内最小封

将整流二极管按照不同的整流电路组装在一起并进行封装,便构成了整流器件。常见的整流器件有高压硅堆、单相半桥式整流器、单相桥式整流器及三相桥式整流器等。整流器件最大的优点就是它们可以代替整流电路中的整流二

GAL(Generic Array Logic)是一种电擦除可重复编程的可编程逻辑器件,具有灵活的可编程输出结构 ,使得为数不多的几种GAL器件几乎能够代替所有PAL器件和数百种中小规模标准器件。而且

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可根据SMD器件表面丝印快速反查询出元器件型号、封装、厂商，节省各种研发、维修和采购时间

半导体激光器是半导体光电转换器件。如图1所示,半导体激光器由多层材料构成。自下而上包括背电极,衬底,下光限制层,下波导层,有源层,上波导层,上限制层,上电极。不同层由不同的外延材料组成。 如此层状

概述:电阻是电子产品中使用最多的电子元件,约占总数的35%,而有些产品如彩电则占50%因此电阻的质量对产品有重要影响。常用电阻有碳膜电阻,金属膜电阻,金属氧化膜电阻,实心电阻和绕线电阻。 技术参数:

半导体业自28纳米进步到22/20纳米,受193i光刻机所限,必须采用两次图形曝光技术(DP)。再进一步发展至16/14纳 米时,大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级,加上19