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TVS二极管的应用及分析 瞬态电压抑制器(TVS)具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直
随着社会的不断进步,物联网的发展,电子产品的室外应用场景,持续高增长,电子产品得到了极其广泛的应用,无论是公共事业,还是商用或者民用, 已经深入到各个领域,这也造成了产品功能的多样化、应用环境的复杂化
一、偏置电路 有自生偏置和混合偏置两种方法,表1电路I利用漏极电ID通过Rs所产生的IdRs作为生偏置电压,即Ugs=-IdRso可以稳定工作点。|IdRs|越大,稳定性能越好,但过负的偏置电压,
MOS管被击穿的原因及解决方案如下: 第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),
快恢复整流二极管的外形如图一所示,其主要特性参数见表一. 图一 快恢复整流二极管外形 表一 快恢复整流二极管主要特性参数
一、二极管的特性 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: 图1、二极管的伏安特性曲线 1、正向特性 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1
1额定整流电流IF:在规定的使用条件下,在电阻性负载的正弦半波整流电路中,允许连续通过半导体二极管的最大工作电流。一些大电流整流二极管要求使用散热片,它的,F指的是带有规定散热片的条件下的数值。
如图所示的电路接线,其中R为必须接入的限流电阻,以防止电路中电流过大,损坏元件。当测定二极管的正向特性时,其正向电流不得超过35mA,二极管VD的正向电压UV+可在0~0.75之间取值,在0.5~0.
在设计半导体三极管电路时,往往需要了解半导体三极管各极电流与电压之间的关系。半导体三极管的特性曲线就是用来描述这种关系的曲线。 下面仍以常见的NPN三极管共发射极电路来说明半导体三极管的输入特
1·暗电流ID 在无光照的情况下,集电极与发射极间的电压为规定值时,流过集电极的反向漏电流称为光敏三极管的暗电流。 2·光电流IL 在规定光照下,当施加规定的工作电压时,流过光敏三极管的电流称为
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