世界领先的手机闪存解决方案供应商意法半导体近日推出了一个采用65nm制造工艺的PR系列NOR闪存产品。基于第四代多电平单元(MLC)技术,65nm PR系列闪存的软硬件兼容现有的90nm PR系列NOR闪存,为客户升级现有系统提供了一条捷径,同时还提高了存储密度和产品性能。 为满足移动应用市场对高分辨相机、多媒体内容和快速联网的需求,新的65nm PR系列闪存的突发读取速度达到133MHz,编程速度达到1.0-MB/s,支持深关断睡眠模式,采用1.8V电源电压。这个先进的NOR闪存系列产品与LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND存储器芯片以共享总线或分用总线的配置组装在