崔增文1,何山虎1 ,陈弘达2,毛陆虹2,高建玉 1 (1.兰州大学微电子研究所,甘肃 兰州 730000 ;2.中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083) 摘要:从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。 关键词:CMOS工艺;特征频率 fT; 单片系统SoC;短距离并行光传输系统VSR;多项目晶圆MPW 中图分类号:TN432 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2003)04-0030-03 1 引言 21世纪的今天,信息产业已经成为世界经