元器件应用中的安华推出采用无铅SOD 323封装的PIN二极管

1 检测小功率晶体二极管 A 判别正、负电极 (a) 观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头的一端为正极,另一端是负极。 (b) 观察外壳上的色点。在

1最高反向工作电压VR:是指加在变容二极管两端的反向电压不能超过的电压允许值。 2反向击穿电压VB。:在施加反向电压的情况下,使变容二极管击穿的电压。 3结电容C:它是指在一特定的反偏压下,变

1最高反向工作电压VRM:是指光敏二极管在无光照的条件下,反向漏电流不大于0.1μA时所能承受的最高反向电压值。 2暗电流ID:是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小,

发光二极管是采用磷化镣(GaP)或磷砷化嫁(GaAsP)等半导体材料制成的,其内部结构为一PN结,具有单向导电性。当在发光二极管的PN结上加正电压时,PN结势垒降低,载流子的扩散运动大于漂移运动,致使

温度特性 磁敏二极管的温度特性曲线如图所示。 图:磁敏二极管的温度特性曲线

把PN结的p区和N区各接一条弓线,再封装起来就为一个半导体二极管。与P区相连的引线为正极,与N区相连的引线为负极。 检波二极管是由锗半导体材料制成的,采用点接触型二极管结构,如图14-4所示。由于

检测发光二极管的正负极可参照普通二极管的方法,但由于发光二极管的正向导通电压在1.8V以上,因此必须使用设有Rx10k挡、内装9V以上电池的万用表进行测量。若用1.5V电池的万用表测量,其正、反向电阻

伏安特性 磁敏二极管的伏安特性曲线如图所示。当磁感应强度B不同时,有着不同的伏安特性曲线,线段AB为负载线。通过磁敏二极管的电流越大,则在同一磁场作用下,输出电压越大,灵敏度越高。在负向磁场作用

功率MOSFET与场效应晶体管相比,可以说速度较快,其原因是由于用于ON的时间。tf及下降时间较快。一般的是努力加快上升时间ton及下降时间幻,但实际上辐更重要。 MOSFET是双极型的没有载流子

发光二极管的检测 1.普通发光二极管的检测 (1)用万用表检测。利用具有×10kΩ挡的指针式万用表可以大致判断发光二极管的好坏。正常时,二极管正向电阻阻值为几十至200kΩ,反向电阻的值为∝。