称为硅的本地氧化(LOCOS)的技术能实现厚氧化层选择性生长。(8 “LOCUS: A New I.C. Technology,” Microelectronics and Reliability, Vol. 10,1971, pp.471-472)这个工艺开始于薄pad oxide的生长,它能保护硅表面不受接下来的机械压力影响。(图2.14)。化学气相沉积在pad oxide的顶部产生一层氮化膜。这个氮化物被蚀刻后使该区域选择性的氧化。氮化物阻碍了氧和水分子的扩散,所以只在氮化物开口处有氧化。有些氧化剂能扩散到氮化物边缘下的一小段距离,产生了一个弯曲的过渡区域,叫做bird’s beak。(