高精度时钟芯片SD2001E及其应用

高精度时钟芯片SD2001E及其应用高精度时钟芯片SD2001E及其应用摘要:介绍一种内置晶振、充电电池、串行NVRAM的高精度和免调校实时时钟芯片SD2001E。由该芯片构成的时钟电路具有精度高、外围电路和接口电路简单的特点。文中详细描述芯片的主要特性、引脚说明及其工作原理,给出在嵌入式系统中的应用方法、硬件接口电路及应用程序。关键词:SD2001E实时时钟单片机实时时钟电路在以单片机为核心构成的智能仪器仪表、测控系统、工业控制等领域有着广泛的应用,但现有的时钟电路存在着外围电路(如需外接晶振、电池)和接口电路(并行接口)复杂、功能单一等缺点。SD2001E则是在内部集成了实时时钟电路、串行非易失性SRAM、可充电电池、晶振及电池管理电路的新型实时时钟芯片。该芯片与单片机的接口电路采用工业标准I2C总线,从而简化了接口电路设计。利用该芯片无需扩展任何外围元件,即可构成一个高精度实时时钟及具有256Kb非易失性SRAM的数据存储电路。1主要特性及引脚说明SD2001E时钟芯片的主要特性如下:*年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出; *I2C总线接口(包括实时时钟部分和SRAM部分); *自动日历到2099年(包括闰年自动换算功能); *内置晶振,出厂前已对时钟进行校准,保证精度为±4×10-6,即时钟年误差小于2min; *低功耗,典型值为1.0μA(VDD=3.5V); *工作电压为3.0~5.5V(其中NVRAM在4.5~5.5V工作); *可设置的两路闹钟输出及32768Hz~1Hz的方波信号输出; *可设置的每分钟固定中断输出或选定频率固定中断输出; *内置充电电路和充电电池,充满一次可保持内部时钟走时时间超过1年以上,可满充电次数达200次; *内置电源管理电路,当V