文:康仁科,郭东明,霍风伟,金洙吉摘要:集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,发满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术,论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术,介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。关键字:硅片;背面减薄;磨削;IC封装1 引言为了增大IC芯片产量,降低单元制造成本,要求IC的基础材料硅片趋向大直径化。现在200mm硅片是主流产品,正在向