MBRD660CTT4G的技术参数

产品型号:1.5KE9.1ARL4GJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6270A雪崩电压VBR(V):9.100峰值反向工作电压VRWM(V):7.780最大反向漏电流IR(uA):50最大反

产品型号:LM317D2TR4G输出电压(V):1.2~37输出电流最大值(mA):1500输入偏置电流(mA)典型值:3.500输入电压最大值(V):40保护过流热关断:Yes封装/温度(°C):3

产品型号:LM337BD2TR4G输出电压(V):-1.2~-37输出电流最大值(mA):1500输入偏置电流(mA)典型值:3.500输入电压最大值(V):-40保护过流热关断:Yes封装/温度(°

产品型号:LM337D2TR4G输出电压(V):-1.2~-37输出电流最大值(mA):1500输入偏置电流(mA)典型值:3.500输入电压最大值(V):-40保护过流热关断:Yes封装/温度(°C

产品型号:MJD44H11T4G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):80集电极最大电流IC(Max)(A):8直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):

产品型号:NTD24N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):42最大漏极电流Id(on)(A):24通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-

产品型号:MLD1N06CLT4G通态电阻RDS(on)(Max)(Ω)(@VGS=5.0V):0.750过压保护:Yes过流保护:Yes过热保护:NoESD:Yes总功耗Pd(W):40封装/温度(

产品型号:NTB75N06LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11最大漏极电流Id(on)(A):75通道极性:N封装/温度(°C):D2PAK-3/-

产品型号:NTB75N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.500最大漏极电流Id(on)(A):75通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK

产品型号:NTD24N06LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):45最大漏极电流Id(on)(A):24通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/