MSRD620CTT4G的技术参数
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4 2020-12-13 -
MTB30P06VT4G的技术参数
产品型号:MTB30P06VT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):67最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:P沟道封装/温度(°C):3D2PAK/
5 2020-12-13 -
NTMD4N03R2G的技术参数
产品型号:NTMD4N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):4通道极性:N封装/温度(°C):SOIC-8/-55~
4 2020-12-13 -
NTHD4P02FT1G的技术参数
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6 2020-12-13 -
NID9N05CLT4G的技术参数
产品型号:NID9N05CLT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):55源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):181最大漏极电流Id(on)(A):-通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-5
4 2020-12-13 -
NTD20N06LT4G的技术参数
产品型号:NTD20N06LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):48最大漏极电流Id(on)(A):20通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/
2 2020-12-13 -
NTD20N06T4G的技术参数
产品型号:NTD20N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):46最大漏极电流Id(on)(A):20通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-
8 2020-12-13 -
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4 2020-12-13 -
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2 2020-12-13 -
NTB65N02RT4G的技术参数
产品型号:NTB65N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10.500最大漏极电流Id(on)(A):65通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2P
6 2020-12-13
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