美国夏威夷火努鲁鲁举行的超大规模集成电路(VLSI)2006年专题研讨会上,瑞萨科技公司宣布,开发出一种有助于采用65nm(65纳米)制造工艺生产的SRAM(静态随机存取存储器)实现稳定运行的技术。新技术采用了一种直接图形成型布局和读辅助及写辅助电路,以克服采用精细特征工艺技术时由于晶体管固有特性可变性带来的SRAM不稳定问题。尤其是,该技术解决了与门限电压(Vth)有关的诸如晶体管导通或关断时出现的边线电压的重要问题。 采用65nm工艺的全球面积最小(0.494μm2)的存储单元测试芯片包含一个8Mbit 6晶体管型SRAM,利用该芯片对稳定运行能力进行了验证。测试数据显示,利用这种设计