每一步湿法清洗的后面都跟着一点去离子水的冲洗。清水冲洗具有从表面上去除化学清洗液和终止氧化物的刻蚀反应的双重功效。冲洗可用几种不同的方法来实现。未来的焦点集聚在提高冲洗效果和减少水的用量上。1997年的NTRS声称,到2010年争取实现在尺寸为50纳米的器件上(水用量由目前的30 加仑/每平方英寸硅片减少到2加仑/每平方英寸硅片)。每平方英寸硅片的水用量由目前的30 加仑减少到2010年的2 加仑。 溢流式清洗器。自动的表面清洗并不是单独地将晶片浸泡在—池水中。完全的彻底的冲洗需要晶片表面有清洗的水不断地流过。其中一种方法叫溢流式清洗器。(图 5.29)它通常是嵌入清洗台面板内的一个池子。去离