SM12T1的技术参数

产品型号:MMSZ16T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):15.200齐纳击穿电压Vz典型值(V):16齐纳击穿电压Vz最大值(V):16.800@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):40最大功率

产品型号:MMVL409T1G最小反向电压VR(V):20最大二极管电容CT@V(Max)( pF):32最大二极管电容CT@VV:3正向电压VF最大值(V):-最大反向漏电流IR (Max)( nA

产品型号:PZT751T1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):60集电极最大电流Ic(max)(mA):2000直流电流增益hFE最小值(dB):75直流电流增益hFE最大值(dB

产品型号:DAN222T1G最小反向电压VR(V):80最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(pF ):3.

产品型号:MBRM140T1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):40平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.55@1.0A非重复峰值浪涌电流IFS

产品型号:MMSZ4693T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):7.130齐纳击穿电压Vz典型值(V):7.500齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.880@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω)

产品型号:NTHS5404T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):30最大漏极电流Id(on)(A):7.200通道极性:N沟道封装/温度(°C):ChipF

产品型号:MMSZ11T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):10.450齐纳击穿电压Vz典型值(V):11齐纳击穿电压Vz最大值(V):11.550@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):20最大功率

产品型号:MMSZ4689T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω)

产品型号:MMSD914T1G最小反向电压VR(V):100最大反向漏电流IR(?A):5正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):4反向恢复时间t