模拟技术中的场效应晶体管介绍
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模拟技术中的中国穷学生发明新晶体管技术
美国伦斯勒理工学院中国博士生Weixiao Huang发明了一种新的晶体管技术,有望取代高功率和高温电导特性的硅晶体管,目前已经引起了美国和日本一些大汽车公司的注意。 Huang出身低微,是中国乡
1 2020-11-22 -
论文研究613Bis三异丙基甲硅烷基乙炔基并五苯TIPS并五苯有机场效应晶体管的优化退火温度和溶剂效应
在此贡献中,我们报告了不同沸点和退火温度的溶剂对TIPS-并五苯晶体管性能的影响。 几种溶剂已用于TIPS-并五苯薄膜加工中:甲苯,氯苯和四氢呋喃。 研究溶剂和温度的影响; 测量了TIPS-并五苯场效
9 2020-07-16 -
介绍如何检测光敏晶体管
光敏二极管和光敏晶体管形几乎一样,下述检测方法也可用来区分它们。遮住窗口测量两引脚间的正、反向电阻,电阻值一大一小者是光敏二极管,正、反向阻值均为无穷大者是光敏晶体管
14 2020-08-16 -
场效应管的型号_常用场效应管
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7 2022-06-28 -
新概念模拟电路_晶体管
ADI 的新书《新概念模拟电路-晶体管》,西安交通大学电气工程学院的杨建国携带了一种模型电源。
20 2019-06-21 -
电源技术中的场效应管参数符号
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占
8 2020-12-12 -
垂直高斯分布的全耗尽绝缘体上硅氧化物金属氧化物半导体场效应晶体管的亚阈值电流模型
本文提出了具有垂直高斯分布的全耗尽(FD)绝缘体上硅(SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的亚阈值电流。 该模型基于二维Poissons方程和Boltzmann输运方程的解析近似解。
4 2021-04-21 -
具有双材料栅极的无结圆柱形环绕栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的准二维阈值电压模型
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2 2021-04-07 -
EDA PLD中的晶体管
作为集成电路的基本电子组件,晶体管的大小 40 多年来一直在缩减。在我们的90-nm CMOS 工艺中,我们面临着严峻挑战,需要制造门长度不足 40 nm的晶体管。要求我们实现最高级的光刻与蚀刻控制,
6 2020-12-06 -
世界晶体管手册含各类晶体管
该手册能满足一般电子爱好者的查询要求。里面有很多分类,2SA,2SB,2SVC,2SD,每一类有有四五千个元件。提供的信息算是无敌了。
47 2019-09-27
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