NTD40N03R 1G的技术参数

产品型号:NCP1200D40R2G最大工作电压(V):16开关可承受电压(V)/电流(A):(External ref.)控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):40封装/温度(°C):SOIC

产品型号:NCP1203D40R2G最大工作电压(V):16开关可承受电压(V)/电流(A):(External ref.)控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):40封装/温度(°C):SOIC

产品型号:NTTS2P03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):135最大漏极电流Id(on)(A):2.480通道极性:P沟道封装/温度(°C):Micr

产品型号:NTMD3P03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85最大漏极电流Id(on)(A):3.050通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOIC-

产品型号:1SMB40CAT3G峰值反向工作电压VRWM(V):40雪崩电压VBRmin(V):44.400IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):64.500最大反向浪涌电流Ipp(A)

产品型号:MGSF1N02LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):130最大漏极电流Id(on)(A):0.750通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT

产品型号:NTP85N03源漏极间雪崩电压VBR(V):28源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.100最大漏极电流Id(on)(A):85通道极性:N沟道封装/温度(°C):TO-220AB

产品型号:NTB85N03源漏极间雪崩电压VBR(V):28源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.100最大漏极电流Id(on)(A):85通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-5

产品型号:NTMD6N02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):35最大漏极电流Id(on)(A):6.500通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOIC-

INFINEON IPD075N03L G芯片是英飞凌公司的产品，其技术参数决定了在各种应用中的性能表现。该芯片在电源管理、电动工具和汽车电子等领域有着重要的作用。其中文版规格手册提供了全面的技术细节