MM3Z2V4ST1G的技术参数

产品型号:MM3Z2V4ST1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):2.200齐纳击穿电压Vz典型值(V):2.400齐纳击穿电压Vz最大值(V):2.600@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):100最大功率PMax(W):0.200芯片标识:0封装/温度(°C):SOD323/-65~150价格/1片(套):暂无