C106M1G的技术参数

产品型号:MMBZ15VALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):14.250齐纳击穿电压Vz典型值(V):15齐纳击穿电压Vz最大值(V):15.750@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,

产品型号:MMBZ12VALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,

产品型号:MMBZ15VDLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):14.300齐纳击穿电压Vz典型值(V):15齐纳击穿电压Vz最大值(V):15.800@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,

产品型号:MC1403BP1G输出电压(V):2.500工作电流最小值(μA):1.200工作电压(V):4.5~40容限:±1%温度系数(ppm/°C):10封装/温度(°C):8PDIP /-40

产品型号:MMBZ27VCLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):25.650齐纳击穿电压Vz典型值(V):27齐纳击穿电压Vz最大值(V):28.350@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,

产品型号:MMBZ27VALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):25.650齐纳击穿电压Vz典型值(V):27齐纳击穿电压Vz最大值(V):28.360@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,

产品型号:PZTA96ST1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):450集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):50直流电流增益hFE最大值(d

产品型号:PZTA92T1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):300集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB

产品型号:PZTA42T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):300集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB

产品型号:BCP53-16T1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值