当键合硅片的一个硅片(有源层)减薄时,因为厚衬底的应力会释放,所以薄的硅片要进一步变形,如果键合硅片被减到足够的薄,衬底的应力几乎完全释放,薄膜就会在垂直方向再变形。由于薄膜的厚度tf远小于变形区域的直径,所以弹性球模型已经不再适用,可以用均匀负载圆形薄板弯曲模型计算薄膜键合应力。按照键合条件,键合应力又分两种情况: (1)键合硅片的边沿不能够自由移动,最大应力出现在硅片的边沿处。 (2)键合硅片的边沿可以自由移动,最大应力出现在键合硅片的中心。 薄膜的应力与没有减薄的硅片的厚度无关,说明了衬底的应力几乎完全释放。实验还发现,实际的薄膜应力应该是介于二者中间的某个数值。