1PMT58AT1的技术参数

产品型号:MUN5313DW1T1G类型:PNP/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):47KR2(Ω):47K芯片上

产品型号:BC856BDW1T1G类型:双PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):220直流电流增益hFE最大

产品型号:M1MA142WKT1G最小反向电压VR(V):80最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(pF )

产品型号:NTR1P02LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):220最大漏极电流Id(on)(A):1.300通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-

产品型号:NTR1P02T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):180最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-23 /-

产品型号:BC846BPDW1T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):110直流电流增益hFE最大

产品型号:TLV431ASN1T1G输出电压(V):可调1.24~16工作电流最小值(μA):50工作电压(V):1.24~16容限:±1%温度系数(ppm/°C):-封装/温度(°C):SOT23-

产品型号:NIS5102QP1HT1G输入电压min(V):9输入电压max(V):18导通电阻典型(mΩ):10平均电流ID Avg(A):10热操作:-封装/温度(°C):PLLP-12/-40~

产品型号:NIS5101E1T1G输入电压min(V):18输入电压max(V):110导通电阻典型(mΩ):43平均电流ID Avg(A):6.500热操作:闭锁封装/温度(°C):SPAK 7/-

产品型号:MGSF1N03LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):145最大漏极电流Id(on)(A):2.100通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT