1PMT51AT1的技术参数

产品型号:NTR1P02LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):220最大漏极电流Id(on)(A):1.300通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-

产品型号:NTR1P02T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):180最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-23 /-

产品型号:BC846BPDW1T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):110直流电流增益hFE最大

产品型号:TLV431ASN1T1G输出电压(V):可调1.24~16工作电流最小值(μA):50工作电压(V):1.24~16容限:±1%温度系数(ppm/°C):-封装/温度(°C):SOT23-

产品型号:NIS5102QP1HT1G输入电压min(V):9输入电压max(V):18导通电阻典型(mΩ):10平均电流ID Avg(A):10热操作:-封装/温度(°C):PLLP-12/-40~

产品型号:NIS5101E1T1G输入电压min(V):18输入电压max(V):110导通电阻典型(mΩ):43平均电流ID Avg(A):6.500热操作:闭锁封装/温度(°C):SPAK 7/-

产品型号:MGSF1N03LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):145最大漏极电流Id(on)(A):2.100通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT

产品型号:NSR15SDW1T1G反向峰值电压(V):15反向雪崩电压典型值(V):20最大平均正向电流(mA):30最大全周期正向压降1:415mV @ 1.0mA最大全周期正向压降2:680mV

产品型号:BC848CDW1T1G类型:NPN/NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):30集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.100直流电流增益hFE最小值(dB):420直流电流增

产品型号:BC858CDW1T1G类型:PNP/PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):420直流电流增益hF