TPIC6B259DW的技术参数

产品型号:MBT3904DW1T1类型:双NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大

产品型号:BZX84B6V8LT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.660齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.940@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):15

产品型号:BZX84B5V6LT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.490齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.710@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):40

产品型号:BZX84B6V2LT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.080齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.320@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):10

产品型号:MBT6429DW1T1G类型:NPN/NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):45集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.200直流电流增益hFE最小值(dB):500直流电流

产品型号:NSR15DW1T1G反向峰值电压(V):15反向雪崩电压典型值(V):20最大平均正向电流(mA):30最大全周期正向压降1:415mV@1.0mA最大全周期正向压降2:680mV@10m

产品型号:NCV8508DW50R2G输出电压典型值(V):5输出电流典型值(A):0.250极性:正压差典型值(V):0.45@0.25A输入电压最大值(V):45封装/温度(°C):SO-16/-

产品型号:MUN5114DW1T1G类型:PNP/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10KR2(Ω):47K芯片上

产品型号:BAS21DW5T1G最小反向电压VR(V):250最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):5反向

产品型号:MBT3946DW1T1G类型:PNP/NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益h