介质隔离 介质隔离(Dielectric isolation, DI)广泛应用于模拟集成电路、高压和大功率器件。传统的介质隔离技术的是建立在多晶硅的厚淀积的基础上,首先,在厚的单晶衬底上腐蚀出“V”型槽,热氧化使硅片和槽的表面生成一层氧化层;其次,在硅片的氧化层上面淀积多晶硅;最后,减薄单晶硅片到“V”型槽,形成了一个个孤立的硅岛,如图1.22所示。由于这种基于多晶硅的介质隔离技术需要淀积很厚(几百μm)的多晶硅层,所以需要很高的工艺温度(~1300°C)和很长的工艺时间(~3小时),这将导致产量低,掩埋层杂质外扩散严重和硅片严重的卷曲,这些缺点都严重限制了这种技术的应用。 图 1.