MM5Z3V9ST1G的技术参数

产品型号:ESD5Z6.0T1G雪崩电压VBR Min.(V):6.800雪崩电压VBR Nom.(V):-雪崩电压VBR Max.(V):-IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):6最大反向

产品型号:MMSZ5V1ET1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最

产品型号:MMSZ5V1T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最大

产品型号:X9C103ST1工作电压(V):5总阻值(kΩ):10端电压(V):-5~5抽头数:100接口方式:CS,U/D,INC电阻增加方式:线性工作电流(mA):3封装/温度(°C):8SOIC

产品型号:X9C102ST1工作电压(V):5总阻值(kΩ):1端电压(V):-5~5抽头数:100接口方式:CS,U/D,INC电阻增加方式:线性工作电流(mA):3封装/温度(°C):8SOIC/

产品型号:X9C104ST1工作电压(V):5总阻值(kΩ):100端电压(V):-5~5抽头数:100接口方式:CS,U/D,INC电阻增加方式:线性工作电流(mA):3封装/温度(°C):8SOI

产品型号:MMSZ3V3T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.140齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.470@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):95最大

产品型号:BZX84C9V1LT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):8.500齐纳击穿电压Vz典型值(V):9.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):9.600@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):1

产品型号:EMC3DXV5T1G类型:PNP/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10K/10KR2(Ω):10K/

产品型号:MMBZ5V6ALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.320齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.880@Izt(mA):20描述:表面安装双齐纳二极