MBRB1045T4G的技术参数

产品型号:MUN2111T1G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识:-封装/

产品型号:MBRS320T3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):20平均整流器前向电流IO(max)(A):3瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.50@3.0A非重复峰值浪涌电流IFS

产品型号:MURS320T3G峰值反向电压VRRM(V):200最大平均正向电流IO(A):3最大全周期正向压降VF(V):0.875最大非重复浪涌电流IFSM(A):75最大反向电流IR(mA):0

产品型号:MURS140T3G峰值反向电压VRRM(V):400最大平均正向电流IO(A):1最大全周期正向压降VF(V):1.250最大非重复浪涌电流IFSM(A):35最大反向电流IR(mA):0

产品型号:NTGS3455T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):3.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):TSOP

产品型号:MMSZ13T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):12.350齐纳击穿电压Vz典型值(V):13齐纳击穿电压Vz最大值(V):13.650@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):30最大功率

产品型号:SM05T1G雪崩电压VBRmin(V):6.200雪崩电压VBRnom(V):6.750雪崩电压VBRmax(V):7.300IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):1峰值反向工作电压

产品型号:MMSZ56T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):53.200齐纳击穿电压Vz典型值(V):56齐纳击穿电压Vz最大值(V):58.800@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):200最大功

产品型号:MURS210T3G峰值反向电压VRRM(V):100最大平均正向电流IO(A):2最大全周期正向压降VF(V):0.940最大非重复浪涌电流IFSM(A):50最大反向电流IR(mA):0

产品型号:MURS360T3G峰值反向电压VRRM(V):600最大平均正向电流IO(A):3最大全周期正向压降VF(V):1.250最大非重复浪涌电流IFSM(A):75最大反向电流IR(mA):0