SMS05CT1G的技术参数

产品型号:NSS30101LT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):2000直流电流增益hFE最小值(dB):300直流电流增益hFE最大

产品型号:NSS12200LT1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):-12集电极最大电流Ic(max)(mA):-2000直流电流增益hFE最小值(dB):150直流电流增益hFE

产品型号:MMBT3906WT1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值

产品型号:MMBT3904WT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值

产品型号:MMBT3904TT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值

产品型号:MC1455P1G工作电压(V):4.5~16V输出电流(mA):±200定时范围:10μs~hours最大工作频率(kHz):>500K功耗(mW):15封装/温度(°C):8PDI

产品型号:MC1455BP1G工作电压(V):4.5~16V输出电流(mA):±200定时范围:10μs~hours最大工作频率(kHz):>500K功耗(mW):15封装/温度(°C):8PD

产品型号:MMBZ33VALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):31.350齐纳击穿电压Vz典型值(V):33齐纳击穿电压Vz最大值(V):34.650@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,

产品型号:MMBZ15VALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):14.250齐纳击穿电压Vz典型值(V):15齐纳击穿电压Vz最大值(V):15.750@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,

产品型号:MMBZ12VALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,