MJD45H11 1G的技术参数

产品型号:SN74LVC1T45DBVR封装/温度(°C):SOP-6/-40~85描述:一位1.6V~5.5V电平转换收发器价格/1片(套):¥2.20

产品型号:SN74LVC1T45DCKT封装/温度(°C):SC70-6/-40~85描述:一位1.6V~5.5V电平转换收发器价格/1片(套):¥4.20

产品型号:NZF220DFT1G最大雪崩电压VBR(V)最小值:7最大雪崩电压VBR(V)典型值:8反向漏电流IR(uA)最大值:1反向工作电压VRWM(V):3线电容CLINE(pF)@2.5V典型

产品型号:BAW56LT1G最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):2.500正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):2反向恢复时

产品型号:NTMFS4708NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):19最大漏极电流Id(on)(A):19通道极性:N封装/温度(°C):SO-8FL/-

产品型号:BC556BZL1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):180直流电流增益hFE最大值(d

产品型号:BC338-25ZL1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):25集电极最大电流Ic(max)(mA):800直流电流增益hFE最小值(dB):160直流电流增益hFE最大值

产品型号:SZMMBZ27VCLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):25.650齐纳击穿电压Vz典型值(V):27齐纳击穿电压Vz最大值(V):28.350@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极

产品型号:MC33063AP1G输出电压(V):1.25~40类型:升压/降压型输入电压最小值(V):3开关电流最大值(A):1.500开关频率(kHz):100封装/温度(°C):8PDIP /-4

产品型号:MC34063AP1G输出电压(V):1.25~40类型:升压/降压型输入电压最小值(V):3开关电流最大值(A):1.500开关频率(kHz):100封装/温度(°C):8PDIP/0~7