NSTB60BDW1T1的技术参数

qweertweer 3 0 PDF 2020-12-13 10:12:04

产品型号:NSTB60BDW1T1类型:PNP/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):150直流电流增益(min)(dB):120R1(Ω):22KR2(Ω):10K芯片上标识:-封装/温度(°C):SOT-363/-55~150价格/1片(套):¥.40

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产品型号:CY2305SXC-1T工作频率范围:10~100/133 MHz工作电压(V):3.300封装/温度(°C):8SOIC/0~70描述:零延迟缓冲,1个基准输入,5个输出,带内部反馈价格/

产品型号:SD12T1G雪崩电压VBRmin(V):13.300雪崩电压VBRnom(V):14.500雪崩电压VBRmax(V):15.750IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):1峰值反向工

产品型号:STF202-22T1G最大雪崩电压VBR(V)最小值:7最大雪崩电压VBR(V)典型值:8反向漏电流IR(uA)最大值:5反向工作电压VRWM(V):5.250线电容CLINE(pF)@2

产品型号:PZT651T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):60集电极最大电流Ic(max)(mA):2000直流电流增益hFE最小值(dB):75直流电流增益hFE最大值(dB

产品型号:MMSZ4681T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):2.280齐纳击穿电压Vz典型值(V):2.400齐纳击穿电压Vz最大值(V):2.520@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω)

产品型号:NTF3055-100T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-2

产品型号:NTF2955T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):170最大漏极电流Id(on)(A):2.600通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-2

产品型号:MMSZ4680T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):2.090齐纳击穿电压Vz典型值(V):2.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):2.310@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω)

产品型号:MMSZ24T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):22.800齐纳击穿电压Vz典型值(V):24齐纳击穿电压Vz最大值(V):25.200@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):70最大功率

产品型号:MBR130T1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.41@1A非重复峰值浪涌电流IFSM(m

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