CY2305SXC 1T的技术参数

产品型号:1SS400T1G最小反向电压VR(V):100(Max)最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(p

产品型号:MBT3906DW1T1类型:双PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大

产品型号:MBT3946DW1T1类型:双晶体管集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大

产品型号:NSR15SDW1T1反向峰值电压(V):15反向雪崩电压典型值(V):20最大平均正向电流(mA):30最大全周期正向压降1:415mV @ 1.0mA最大全周期正向压降2:680mV @

产品型号:NSR15DW1T1反向峰值电压(V):15反向雪崩电压典型值(V):20最大平均正向电流(mA):30最大全周期正向压降1:415mV @ 1.0mA最大全周期正向压降2:680mV @1

产品型号:NSTB60BDW1T1类型:PNP/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):150直流电流增益(min)(dB):120R1(Ω):22KR2(Ω):10K芯片上

产品型号:NTR1P02T1源漏极间雪崩电压VBR(V):-20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):148@-10V最大漏极电流Id(on)(A):-1通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT

产品型号:MBT3904DW1T1类型:双NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大

产品型号:CY2308SXI-4工作频率范围:10~133 MHz工作电压(V):3.300封装/温度(°C):16SOIC/-40~85描述:零延迟缓冲,1个基准输入,8个输出,1x, 2x,4x,

产品型号:CY3083-SC28支持器件:CY7C63743-SC、CY7C63723-SC、CY7C63231A-SC、CY7C64013-SC、CY7C65113-SC描述:28脚SOIC基座Hi