MBRD320T4G的技术参数

产品型号:MMSZ12T3G齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):25最大功率

产品型号:PZT651T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):60集电极最大电流Ic(max)(mA):2000直流电流增益hFE最小值(dB):75直流电流增益hFE最大值(dB

产品型号:MMSZ4681T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):2.280齐纳击穿电压Vz典型值(V):2.400齐纳击穿电压Vz最大值(V):2.520@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω)

产品型号:MURA110T3G峰值反向电压VRRM(V):100最大平均正向电流IO(A):1最大全周期正向压降VF(V):0.875最大非重复浪涌电流IFSM(A):50最大反向电流IR(mA):0

产品型号:MURS110T3G峰值反向电压VRRM(V):100最大平均正向电流IO(A):1最大全周期正向压降VF(V):0.875最大非重复浪涌电流IFSM(A):40最大反向电流IR(mA):0

产品型号:NTF3055-100T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-2

产品型号:NTF2955T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):170最大漏极电流Id(on)(A):2.600通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-2

产品型号:NTF3055-100T3G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-2

产品型号:LM2575T-12G输出电压(V):12类型:降压型输入电压最小值(V):15开关电流最大值(A):1开关频率(kHz):52封装/温度(°C):TO-220/-40~125描述:1A,1

产品型号:MBRS3200T3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):100平均整流器前向电流IO(max)(A):3瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.79@3.0A非重复峰值浪涌电流I