产品型号:MM3Z6V2ST1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.060齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.330@Izt(mA):100齐纳阻抗Zzt(Ω):10最大功率PMax(W):0.200芯片标识:TE封装/温度(°C):SOD323/-65~150价格/1片(套):暂无