晶圆测试
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论文研究刻蚀晶圆背面颗粒形成机理和改善研究.pdf
刻蚀晶圆背面颗粒形成机理和改善研究,王福喜,,半导体制造过程中,干法刻蚀工艺需要晶圆背面与设备接触,掌握晶圆背面颗粒状态对半导体工艺制程相当重要。本文主要研究前段刻蚀
17 2019-09-14 -
半导体行业报告涨价缺货8寸晶圆产能紧缺
特种工艺技术包括高精度模拟CMOS、射频CMOS、嵌入式存储器CMOS、CIS、高压CMOS、BiCMOS及BCDMOS,这些特种技术对晶圆厂的工艺参数有较为严格的容差限制,在成熟的8寸晶圆厂投产成品
25 2021-04-21 -
LED知识库浅述LED晶圆的制作工艺
文章为大家介绍了LED晶圆的制作工艺。
18 2020-07-30 -
DRAM厂另寻出路看好晶圆代工市场奋力抢进
DRAM现货价跌破一美元,DRAM厂为了维持12寸厂利用率,但又不想再继续烧钱生产DRAM,所以包括力晶及茂德,已经开始把12寸厂产能移转投入晶圆代工市场。之前上游DRAM厂商一直宣称08年第二季度价
8 2021-02-22 -
论文研究强化晶圆退火重复性的方法研究.pdf
强化晶圆退火重复性的方法研究 ,李贇佳,黄其煜,超浅结制造技术是支撑超大规模集成电路进一步发展的关键技术,本文以其中的关键工艺--Spike Anneal(尖峰退火)为切入点,对激活Source/Dr
15 2020-07-22 -
全光纤皮秒激光切割蓝宝石晶圆的实验研究
搭建了中心波长为1064 nm的光纤激光器装置。全保偏光纤结构的锁模脉冲种子源结合选频单元和全光纤放大器, 实现了重复频率连续可调、脉冲串中脉冲数可选、微焦量级单脉冲能量的皮秒激光输出。通过优化选取激
9 2021-02-07 -
碳化硅晶圆的快速高质量复合加工方法
为了提升单晶碳化硅(SiC)材料的抛光效率及表面质量,提出了将传统抛光与磁流变抛光(MRF)相结合的新方法,并对一块直径为100 mm的单晶SiC晶圆进行实际加工。首先,采用环抛技术将单晶SiC晶圆表
12 2021-01-31 -
论文研究8寸晶圆单片晶圆良率降低现象产生的原因及改善方法.pdf
8寸晶圆单片晶圆良率降低现象产生的原因及改善方法,姜俊克,黄其煜,本文旨在研究8寸芯片制造工厂里单片晶圆良率降低现象产生的原因并提出改善方法。在目前比较成熟的8寸的芯片制造工厂中,随着制程�
20 2020-03-12 -
电子测量中的晶圆级可靠性测试成为器件和工艺开发的关键步骤
摘要 随着器件尺寸的持续减小,以及在器件的制造中不断使用新材料,对晶圆级可靠性测试的要求越来越高。在器件研发过程中这些发展也对可靠性测试和建模也提出了新的要求。为了满足这些挑战需要开发更快、更敏感、
2 2020-12-17 -
晶圆级商业化生产的TSV RDL在线故障诊断系统和测试方法的研究
2013年前三季度,半导体行业目睹了12英寸TSV晶圆的大量增加,安装量已超过100万片。 尽管越来越受欢迎,但是由于Craft.io缺陷导致的成品率下降,TSV技术仍承受着高昂的成本。 绝
3 2021-04-01
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