DTC143TM3T5G的技术参数

产品型号:ESD5Z6.0T1G雪崩电压VBR Min.(V):6.800雪崩电压VBR Nom.(V):-雪崩电压VBR Max.(V):-IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):6最大反向

产品型号:MMSZ5V1T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最大

产品型号:MMSZ5V6T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.320齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.880@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):40最大

产品型号:DTC144EET1类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):47KR2(Ω):47K芯片上标识:8C封装

产品型号:DTC115EET1类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):100KR2(Ω):100K芯片上标识:8N

产品型号:DTC114EET1类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识:8A封装

产品型号:DTC114TET1类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):160R1(Ω):10KR2(Ω):∞芯片上标识:94封装/

产品型号:DTC114YET1类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10KR2(Ω):47K芯片上标识:8D封装

产品型号:MMSZ3V0T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):2.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):3齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.150@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):95最大功率PM

产品型号:NSS20500UW3T2G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):20集电极最大电流Ic(max)(mA):7000直流电流增益hFE最小值(dB):250直流电流增益hFE