MJD200T4G的技术参数

产品型号:MURS210T3G峰值反向电压VRRM(V):100最大平均正向电流IO(A):2最大全周期正向压降VF(V):0.940最大非重复浪涌电流IFSM(A):50最大反向电流IR(mA):0

产品型号:MURS360T3G峰值反向电压VRRM(V):600最大平均正向电流IO(A):3最大全周期正向压降VF(V):1.250最大非重复浪涌电流IFSM(A):75最大反向电流IR(mA):0

产品型号:MUN5214T1G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10KR2(Ω):47K芯片上标识:8D封装

产品型号:LM2576T-15G输出电压(V):15类型:降压型输入电压最小值(V):18开关电流最大值(A):3开关频率(kHz):52封装/温度(°C):TO-220/-40~125描述:3A,1

产品型号:MBRS1100T3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):100平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.75@1.0A非重复峰值浪涌电流I

产品型号:MBRS360T3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):60平均整流器前向电流IO(max)(A):3瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.74@3.0A非重复峰值浪涌电流IFS

产品型号:MBRS3201T3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):200平均整流器前向电流IO(max)(A):3瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.84@3.0A非重复峰值浪涌电流I

产品型号:MMSZ33T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):31.350齐纳击穿电压Vz典型值(V):33齐纳击穿电压Vz最大值(V):34.650@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):80最大功率

产品型号:BAT54T1G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)( pF):10最大二极管电容CT@VV:1正向电压VF最大值(V):0.400最大反向漏电流IR (Max)(

产品型号:MMSZ4690T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.320齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.880@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω)