MURD330T4G的技术参数

产品型号:MBRS360T3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):60平均整流器前向电流IO(max)(A):3瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.74@3.0A非重复峰值浪涌电流IFS

产品型号:MBRS3201T3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):200平均整流器前向电流IO(max)(A):3瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.84@3.0A非重复峰值浪涌电流I

产品型号:MMSZ33T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):31.350齐纳击穿电压Vz典型值(V):33齐纳击穿电压Vz最大值(V):34.650@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):80最大功率

产品型号:BAT54T1G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)( pF):10最大二极管电容CT@VV:1正向电压VF最大值(V):0.400最大反向漏电流IR (Max)(

产品型号:MMSZ4690T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.320齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.880@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω)

产品型号:MURS120T3G峰值反向电压VRRM(V):200最大平均正向电流IO(A):1最大全周期正向压降VF(V):0.875最大非重复浪涌电流IFSM(A):40最大反向电流IR(mA):0

产品型号:MUN5211T1G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识:-封装/

产品型号:SD12T1G雪崩电压VBRmin(V):13.300雪崩电压VBRnom(V):14.500雪崩电压VBRmax(V):15.750IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):1峰值反向工

产品型号:STF202-22T1G最大雪崩电压VBR(V)最小值:7最大雪崩电压VBR(V)典型值:8反向漏电流IR(uA)最大值:5反向工作电压VRWM(V):5.250线电容CLINE(pF)@2

产品型号:MMSZ12T3G齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):25最大功率