MUR110RLG的技术参数

产品型号:3EZ4.3D5RLG齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.090齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.520@Izt(mA):174齐纳阻抗Zzt(Ω):4

产品型号:INA110KP输入类型:FET增益范围(V/V):1,10,100,1000非线性度(±)(Max.)(%):0.010输入失调电压(±)(Max.)(uV/°C):250输入失调电压漂移

产品型号:TIP110G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大电流IC(Max)(A):2直流电流增益hFE最小值(dB):500直流电流增益hFE最大值(dB):-最小

产品型号:XTR110KP传感器激励:Vref=10V环路电压(V):13.5-40满量程输入范围:0V-10V输出范围(mA):4-20, 0-20,-5-25封装/温度(°C):PDIP-16/0

产品型号:J110RLRAG零门极电压最小耗尽电流IDSS Min (?A):10000零门极电压最大耗尽电流IDSS Max (?A):-门极-源极雪崩电压VGSS Min (V):25输入电容CI

产品型号:XTR110KU传感器激励:Vref=10V环路电压(V):13.5-40满量程输入范围:0V-10V输出范围(mA):4-20, 0-20, -5-25封装/温度(°C):SOIC-16/

产品型号:1SMB110AT3峰值反向工作电压VRWM(V):110雪崩电压VBRmin(V):122IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):177最大反向浪涌电流Ipp(A):3.400

产品型号:MBRM110LT1反向重复峰值电压VRRM(max)(V):10平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.365@1.0A非重复峰值浪涌电流IF

产品型号:NL7SZ19MUR2G封装/温度(°C):UDFN-6/-40~85描述:2选1数字多路复用器价格/1片(套):暂无

产品型号:MBD110DWT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):7平均整流器前向电流IO(max)(A):-瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.600非重复峰值浪涌电流IFSM(ma