PS7W12D12S BOM的技术参数

产品型号:CY7C1019B-12VC位密度:1M组织结构:128K x 8工作电压(V):5速度(ns):12封装/温度(°C):32(400-Mil)SOJ/0~70价格/1片(套):暂无

产品型号:CY7C1009B-12VC位密度:1M组织结构:128K x 8工作电压(V):5速度(ns):12封装/温度(°C):32(300-Mil)SOJ/0~70价格/1片(套):暂无

产品型号:MMBZ12VALT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,共

产品型号:MMQA12VT1雪崩电压VBRmin(V):11.400雪崩电压VBRnom(V):12雪崩电压VBRmax(V):12.600IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):75峰值反向工作

产品型号:1.5SMC12AT3雪崩电压VBRmin(V):11.400雪崩电压VBRnom(V):12雪崩电压VBRmax(V):12.600IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):10.2

产品型号:NTD12N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):130最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~

产品型号:SMS12T1雪崩电压VBRmin(V):13.300雪崩电压VBRnom(V):-雪崩电压VBRmax(V):15IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):1峰值反向工作电压VRWM(V

产品型号:SM12T1齐纳击穿电压Vz最小值(V):300齐纳击穿电压Vz典型值(V):13.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):-@Izt(mA):15.750齐纳阻抗Zzt(Ω):1最大功率PMa

产品型号:NSL12AWT1类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):12集电极最大电流Ic(max)(mA):2000直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(d

产品型号:LM385BLP-1-2输出电压(V):1.240静态电流(μA):8容限(%):1输入电压最小值(V):-输入电压最大值(V):-温度系数(ppm/°C):20封装/温度(°C):3TO/