MCR708A1G的技术参数

产品型号:NTLJS3113PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):-20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):40最大漏极电流Id(on)(A):-9.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):D

产品型号:1SMB90AT3G峰值反向工作电压VRWM(V):90雪崩电压VBRmin(V):100IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):146最大反向浪涌电流Ipp(A):4.100最

产品型号:NTGD1100LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):55最大漏极电流Id(on)(A):3.300通道极性:P沟道封装/温度(°C):TSOP6

产品型号:SZMMBZ27VALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):25.650齐纳击穿电压Vz典型值(V):27齐纳击穿电压Vz最大值(V):28.360@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极

产品型号:NSS12200WT1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):12集电极最大电流Ic(max)(mA):-2000直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最

产品型号:NSS30100LT1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):2A直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(

产品型号:NTHC5513T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):3.900通道极性:N/P沟道封装/温度(°C):Chi

产品型号:BAW56WT1G最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):2.500正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):2反向恢复时

产品型号:NLAS4684FCT1G工作电压(V):1.8~5.5导通电阻(Ω):0.500功能:2SPDT封装/温度(°C):10 PIN FLIP-CHIP/-55~125描述:0.5Ω双SPDT

产品型号:SL05T1G雪崩电压VBR Min.(V):6雪崩电压VBR Nom.(V):-雪崩电压VBR Max.(V):8IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):5最大反向漏电流IR(uA