晶片外延生长对于晶片清洁程度的严格要求导致了机械的晶片表面洗刷器的发展。同时这一方法也被用在非常关键的颗粒去除中。 刷洗器将晶片承载在一个旋转的真空吸盘上(图5.25)。在一般去离子水直接冲洗晶片表面的同时,一个旋转的刷子近距离地接触旋转的晶片。刷子和晶片旋转的结合在晶片表面产生了高能量的清洗动作。液体被迫进入晶片表面和刷子末端之间极小的空间,从而达到很大的速度,以辅助清洗。必须注意的是,要保持刷子和清洗液道路的清洁以防止第二污染。另外,刷子到晶片的距离要保持一定以防止在晶片表面造成划痕。 在去离子水中加入表面活性剂可以提高清洗的效果,同时防止静电的形成。在某些应用中,稀释的NH4OH被用作清