MM5Z10VT1的技术参数

产品型号:MMBTH10LT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):25集电极最大电流IC(Max) (mA):-直流电流增益hFE最小值(dB):-直流电流增益hFE最大值(dB)

产品型号:MMSZ10T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):9.500齐纳击穿电压Vz典型值(V):10齐纳击穿电压Vz最大值(V):10.500@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):20最大功率P

产品型号:1SMA10AT3G峰值反向工作电压VRWM(V):10雪崩电压VBRmin(V):11.100IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):17最大反向浪涌电流Ipp(A):23.5

产品型号:MMSZ10ET1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):9.500齐纳击穿电压Vz典型值(V):10齐纳击穿电压Vz最大值(V):10.500@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):20最大功率

产品型号:BZX84C10LT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):9.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):10齐纳击穿电压Vz最大值(V):10.600@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):20最大功

产品型号:1SMA10CAT3G峰值反向工作电压VRWM(V):10雪崩电压VBRmin(V):11.100IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):17最大反向浪涌电流Ipp(A):23.

产品型号:CS5257A-1GDP5输出电压典型值(V):1.25~5输出电流典型值(A):7极性:正压差典型值(V):0.35@7A输入电压最大值(V):6封装/温度(°C):5D2PAK/0~15

产品型号:CS5257A-1GT5输出电压典型值(V):1.25~5输出电流典型值(A):7极性:正压差典型值(V):0.35@7A输入电压最大值(V):6封装/温度(°C):5TO220/0~150

产品型号:UMC5NT1G类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):20R1(Ω):47KR2(Ω):-芯片上标识:-封装/

产品型号:MM908E625ACDWB工作电压(V):8~18Flash(字节):16KRAM(字节):512EEPROM(字节):-定时器:4×16bit IC,OC,或PWMI/O:13串行通讯: