MMBZ6V8ALT1G的技术参数

kungezuishuai73274 2 0 PDF 2020-12-17 10:12:07

产品型号:MMBZ6V8ALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.460齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.140@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,共阳封装/温度(°C):3SOT-23/-55~150价格/1片(套):¥.40

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产品型号:NSBC114YPDXV6T1G类型:NPN/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):47K

产品型号:NSBC114EPDXV6T1G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标

产品型号:NSBA114YDXV6T1G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10kR2(Ω):10k芯片上标识

产品型号:NSBC143TDXV6T1G类型:NPN/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):160R1(Ω):4.7KR2(Ω):∞芯

产品型号:NSDEMN11XV6T1G最小反向电压VR(V):80最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(pF

产品型号:NSBC114EDXV6T1G类型:NPN/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯

产品型号:NSS20300MR6T1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):20集电极最大电流Ic(max)(mA):5A直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大

产品型号:NSS30201MR6T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):2000直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流增益hFE

产品型号:NSBC143TPDXV6T1G类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):160R1(Ω):4.7KR2(Ω):∞

产品型号:NST3946DXV6T1G类型:PNP/NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):-1集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益

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