NZQA5V6AXV5T1G的技术参数

产品型号:BZX84C5V1LT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.800齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.400@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):6

产品型号:BZX84B5V1LT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.200@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最大功

产品型号:NCP4523G1T1G输出电压1(V)/输出电流1典型值(mA):Vcc-1/150输出电压2(V)/输出电流2典型值(mA):Vcc-1/80输出电压3(V)/输出电流3典型值(mA):

产品型号:NSTB1002DXV5T1类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):40集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):100R1(Ω):47KR2(Ω):47K芯

产品型号:NSTB1005DXV5T1类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):47KR2(Ω):47K芯片

产品型号:NSQA12VAW5T2G雪崩电压VBRmin(V):11.400雪崩电压VBRnom(V):12雪崩电压VBRmax(V):12.700IT(mA):5最大反向漏电流IR(nA):50峰值

产品型号:DTC123JM3T5G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):2.2KR2(Ω):47芯片上标识:8M

产品型号:DTA114EM3T5G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识:6A

产品型号:BC846BM3T5G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):65集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.100直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流增益hFE最

产品型号:BC847BM3T5G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):45集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.100直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流增益hFE最