NSTB1005DXV5T1的技术参数

产品型号:BCP53-10T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):63直流电流增益hFE最大值(

产品型号:MMSZ43T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):40.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):43齐纳击穿电压Vz最大值(V):45.150@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):150最大功

产品型号:MMSZ4684T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.130齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.470@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω)

产品型号:MUN2111T1G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识:-封装/

产品型号:NTGS3455T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):3.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):TSOP

产品型号:MMSZ13T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):12.350齐纳击穿电压Vz典型值(V):13齐纳击穿电压Vz最大值(V):13.650@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):30最大功率

产品型号:SM05T1G雪崩电压VBRmin(V):6.200雪崩电压VBRnom(V):6.750雪崩电压VBRmax(V):7.300IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):1峰值反向工作电压

产品型号:MMSZ56T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):53.200齐纳击穿电压Vz典型值(V):56齐纳击穿电压Vz最大值(V):58.800@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):200最大功

产品型号:MUN5214T1G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10KR2(Ω):47K芯片上标识:8D封装

产品型号:MMSZ33T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):31.350齐纳击穿电压Vz典型值(V):33齐纳击穿电压Vz最大值(V):34.650@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):80最大功率