GaN材料的特性与应用

GaN材料的特性与应用2005-4-4 20:20:03 王平 1前言 GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SiC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景.表1钎锌矿GaN和闪锌矿GaN的特性 2 GaN材料的特性 GaN是极稳定的化合物,又是坚硬的高熔点材料,熔点约为1700°C,