为了得到一个更加精确的基准电压,本文对原有的经典的高阶补偿带隙基准电路经行改进。通过在传统的高阶带隙基准源结构上,改变mos管尺寸和增加一个带有反馈的运放,实现了理论分析和电路建模的完全重合。该电路采用UMC0.11μm3.3vCMOS工艺库,-30~120°C的范围内,温度系数从原有的0.42 ppm/°C被优化到0.086 ppm/°C。