SiC晶圆切割系统

使用标准晶片蚀刻工艺化学对金刚石线切割晶片进行纹理化一直是太阳能电池制造行业的挑战。 这是由于金刚石线切割晶片的表面形态变化以及非晶硅含量的大量存在，这是在使用超薄金刚石线锯切多晶晶片期间从晶片制造工

疏水性非晶碳包覆层对SiC纳米线场发射性能的改善，张猛，李镇江，在SiC纳米线表面修饰一层低功函外壳对于提升其场发射特性是一种简单有效的途径。本文采用Fe-Ni催化化学气相反应法在SiC纳米线表面成�

SiC单晶生长Growth of Bulk SiC刘喆 徐现刚 摘 要:本文综述了国际上SiC单晶生长的发展历史及现状.从其结构特点生长方法的选择,生长过程中的问题以及存在的晶体缺陷等方面进行了介

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SiC（碳化硅）是一种由硅（Si）和碳（C）构成的化合物半导体材料，不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限

按角度制给出5个点的极角Ai(0

为了提升单晶碳化硅(SiC)材料的抛光效率及表面质量,提出了将传统抛光与磁流变抛光(MRF)相结合的新方法,并对一块直径为100 mm的单晶SiC晶圆进行实际加工。首先,采用环抛技术将单晶SiC晶圆表

据调研公司SEMI年终对硅晶圆产业的分析,全球硅晶圆面积出货量比年增长20%。SEMI指出,由于300mm晶圆改善了总体产品组合,销售额比年增长了27%。 硅晶圆面积出货量总计为7996百万平方

对于超薄介质,由于存在大的漏电和非线性,通过标准I-V和C-V测试不能直接提取氧化层电容(Cox)。然而,使用高频电路模型则能够精确提取这些参数。随着业界迈向65nm及以下的节点,对于高性能/低成本数

■晶圆检测 目的:检测晶圆盒中的晶圆 应用:激光发射器发出细小光束,带0.02水平矩形光缝的接收器能保证光束完全被晶圆挡住。晶圆盒被安装在一个垂直运动的升降器上,当升降器上下运动时检测。 传感器