SiC（碳化硅）是一种由硅（Si）和碳（C）构成的化合物半导体材料，不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件用材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值各不相同。用于功率器件制作的话，4H‐SiC最为合适，现在3inch～6inch的单结晶晶圆正在量产中。