湿法化学刻蚀技术与干法刻蚀技术.doc

在氧化物限制型垂直腔面发射激光器制备中,刻蚀GaAs/AlGaAs时因异质型材料常出现选择性内蚀现象,这会直接影响后续的氧化工艺及电极钝化的效果。针对因选择性内蚀而出现的“镂空”现象,对湿法刻蚀工艺和

风险能导致软件项目失败，从而给企业带来损失；它是软件工程的研究热点之一，人员流动风险是软件项目过程中的重大风险，然而却很少有人关注。信息熵能有效度量子系统的均匀程度，提出一种基于信息熵的定量的人员流动

反射等离子体刻蚀技术制备各向异性排列的纳米槽超表面

电流密度对电化学刻蚀硅微通道壁厚的影响，王云龙，王国政，电化学刻蚀过程中如何有效控制微通道壁厚，保证硅微通道阵列能等径生长，是一个值得研究的问题。本文基于电化学腐蚀原理，通过一

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