980 nm高功率DBR半导体激光器的设计及工艺

谢红云1,安振峰2 ,陈国鹰1(1.河北工业大学信息学院,天津 300130;2.中电科技集团电子13所,河北 石家庄 050051)摘要:综合介绍了目前半导体大功率激光器普遍采用的材料结构、芯片结构

根据脉冲工作状态下半导体激光器激射光谱随结温升高而发生红移的原理,提出了一种测试半导体激光器热弛豫时间的新方法——利用调节取样积分器(Boxcar)取样门,测量光信号脉冲内不同时刻的时间分辨光谱。采用

为满足高功率脉冲半导体泵浦激光器相干合成的特殊需要,设计6路同步输出的电源阵列,实现了工作电压0~400 V自适应调整、工作电流0~1 200 A、脉冲宽度200 s~1 000 s、重复频率1 Hz

对光纤光栅外腔反馈的高功率半导体激光器的光谱线宽特性进行了理论与实验研究。理论分析表明,根据不同的外腔参数,激光器的线宽能被压缩或展宽。外腔反射率对光谱线宽的影响要比外腔腔长灵敏得多。实验实现了激光器

半导体激光器由于自身波导结构的不对称性导致光强分布不均匀而限制了其在工业加工上的应用,为了对半导体激光光束进行整形以获得均匀光斑,设计了一种基于微透镜阵列的半导体激光器堆栈匀化系统。分析了微透镜阵列对

半导体激光器又称为激光二极管(LD,Laser Diode),是采用半导体材料作为工作物质而产生受激发射的一类激光器。常用材料有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)

由于半导体激光器对电源的输出有更为严格的要求，传统的恒流源在应用于半导体激光器的时候有许多需要改进的地方。文中描述了一种

理论分析了980nm高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的器件特性与其分布布拉格反射镜(DBR)反射率的依赖关系,并计算了具有不同有源区直径的VCSEL的输出特性.分析了具有不同有源区直径的VCSE

在分子束外延(MBE)生长的基础上,采用脉冲阳极氧化工艺制作了非对称、宽波导InGaAlAs/AlGaAs/GaAs应变双量子阱(DQW)结构准连续(QCW)线阵半导体激光器,实现了808 nm波段线

一种新的虚拟仪器测试方法本文主要介绍了一个半导体激光器噪声的虚拟测试系统。首先对半导体激光器的噪声特性进行了综述，介绍了半导体激光器噪声测量的常用方法。然后着重介绍了所设计的噪声虚拟测试系统。该